第211章 读取快了10倍，写入快了20倍

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枫火集团公司，阻变式存储器研发中心。

经过了大半年的持续研发，已经是地中海发型的冯高平带着团队，在江成的指导下吃透了徐伟大佬他们一行整出的专利，并且在此基础上研发实现了量产技术。

“江总，目前我们已经初步实现了两种存储芯片的研发，第一类是阻变式缓存，我们称之为hrr，读取速度达到了gbs，可以用于手机soc芯片，车规级芯片。”

冯高平拿着比小指指甲还小的小小芯片递给了江成看。

“第二类是阻变式内存，drr，这一块的制造工艺是n，但存储容量到了gb，读取速度达gbs。”

江成拿了到手上，瞬间模拟进入了体内的超技术实验室。

“写入速度呢”

“顺序写入速度也有gbs，随机写入也达到了gbs以上。”冯高平声音非常地激动。

这还是他第一次研发出来这么强大的存储芯片。

比起当前的手机内存来说，读取快了倍，写入快了倍！

江成径自将这些芯片替换到了体内模拟实验室中的枫火手机，先是换了运行内存。

相关的接口协议同步拷贝到了芯片级系统之中。

“连续读写速度表现非常不错。”江成点点头，“不过，你们要再增设一个电源管理芯片，以防存储芯片因电流电压不稳被击穿。”

冯高平应了声，对江成的佩服得很，“我们在试验中也发现了可能会出现这个问题，已经在做适配的电源管理芯片了。”

“做得好。”江成赞扬了一句，随后又问，“你是国科大毕业的吧”

“是，微电子科学专业的。”冯高平回答，“毕业四五年了。”

“今天后，由你任存储器研发部经理，好好干。”江成轻拍了拍他的肩膀。

这一段时间的考察，冯高平表现确实是可圈可点。

至少看他那样子，就不像是刚毕业四五年的样子，至少是毕业十几年的模样。

冯高平有些激动，“感谢江总信任！”

“继续研发完善，现在的制程我还是不太满意，希望达到纳米，甚至是纳米制程，另外这么大的芯片，要探索d堆叠结构，把容量拓展到gb，甚至是gb以上。”

“明白，我们就朝着江总您指的方向前进。这个存储器芯片，要不是有您研究发表的整套专利，咱们也整不出成果来。”

江成点点头，“行了，奉承话不说。把电源管理配套芯片设计出来后，我会让枫火手机部门前来对接，以便将硬件设计好、系统适配好。”

在他的眼里头，有了这个阻变式存储芯片，不仅能够让在系统更好地实现卡片后台，而且将实现关机后开机，就像是熄屏后亮屏一样的快！

正好这段时间让两方对接好，等枫火的ex手机发布的时候，这一个无敌的大杀器便能够派上用场了。

冯高平随后又试探地道，“那咱们的阻变式缓存，是否和半导体公司soc芯片研发部门对接”

江成没有回答他，只是问，“对了，这两款芯片的成本计算过吗”

“具体要看产量情况，阻变式缓存b，成本预计在元左右；用于内存的gb成本在元左右。”冯高平大概计算了一下，“当然，随后工艺的提升，成本会摊薄一些。”

江成在脑海里头轻轻计算了会，感觉商用问题不大，利润也可以保障。“尽快完善好，先让我们自己的手机应用上，明年下半年起，可以向各手机厂商供货。”

当然，价格需要更高一些。

冯高平拍拍胸脯，“江总，您放心，一个月内，我们会和手机部门人员对接好，争取月份开始代工备货。”