第185章 阻变式存储(rram)芯片研发和量产的难点

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几个月前，江成已经把枫火sf电路设计与仿真软件交由半导体公司的soc和ic芯片研发部门工程师学习掌握。

目前了解到的情况来看，效果非常不错。

虽然一些元件库、仪器库稍微少了一些，但总体的仿真和模拟功能非常强大。

随着智能算法的帮助，不少设计，还会有些智能提示。

于是，枫火半导体公司支付了枫火集团一笔授权费用……

以及，现如今的阻变式存储（rr）芯片研发部。

这个存储器和枫华微电子下辖的dr内存并不一样。

dr内存，是当前主流的内存类型，目前的ddr、ddr，都是这种内存中的其中一种类型。

但rr内存，目前全世界都还在实验研究中，并没有真正普及商用。

这倒并不是说没有实验研究不出来，而是说成本、工艺这些因素的限制，无法商用量产。

目前，江成没花多大价钱拿到了水木大学徐伟教授领军整出来的一种新型阻变式存储器的专利。

也招了个人，正在进行研究、吃透这个专利技术。

在实验室制出来的一小块阻变存储芯片，容量并不大，不到b，但试验的存储速度非常的快。

按原理来说，其实是可以进行计算的。

但这一块，不是上一个实验研究的重点，也就没有继续深入。

那么对于江成现如今来说，就是要在这个制备技术基础上，首先是研究突破更大的存储量。

想想要是用于cu缓存上，如果存储继续提升到，那这三缓就牛逼了。

更何况，江成更希望研究出可以用于运行内存和存储内存的阻变存储芯片。

其次，便是量产工艺和成本的下降探索。

实验里头，很多东西是不计成本的，而且只是为了制备少量材料就可以。

但商用量产就不一样了，要有设备能够流水线一样量产，甚至需要定制或研制专门的设备。

而成本，更是制约量产的因素。

倘若搞下来，一块小小的阻变式存储芯片要几百块钱，那没有什么意义。

整个研发部暂时没有任部长，由江成兼任。

“……大家可以看到，现有的传统掺杂工艺是达不到要求的，需要更加精密，且能够批量掺杂的沉积工艺设备，这块我们必须同相关厂商进行定制。”在研讨会上，江成指了指投影屏上的一处工艺节点。

边上的一个中年男子举了手，“江总，我觉得可以采用更高精度的离子注入设备。”

“可以考虑。”江成点点头。“另外，数据管理这块……”

虽然在商用这一块，江成的模拟实验室能够起到的作用就更小了一些，但依旧发挥着作用。

在他带领下，团队很快啃下了这门技术。

正在尝试量产技术，并研究如何降低成本。

进度比较稳健，也快速。

江成估计，随着相关制备工艺的成熟和仪器的准备，一定可以做到成功量产。

如果这块突破了，江成估计自己的soc芯片也好，桌面级芯片也好，都将得到巨大的算力提升。

因为就当前的cu处理器来说，很多时候，除了内置在内部的一级缓存，其他缓存和内存的速度，是跟不上cu的频率的，这让cu每多时候，都是需要花时间等待数据的调取。

内置的缓存，没有办法太大，容量非常的小。

而运行内存的易失性，和速度也比不上阻变存储器。

慢慢来吧，江成相信随后研发的持续深入，将研制出并量产大容量、适合成本和高品质的新型存储器芯片。

届时，一定可以和长河存储（dr芯片）共同撑起华国内存的一片天空。